三星电子斥资巨资在美国得克萨斯州泰勒市建设一座先进的半导体芯片工厂，并获得了美国政府47.4亿美元的激励资金，计划于2026年开始大规模生产2纳米和3纳米工艺芯片。此举意在与全球芯片巨头台积电展开直接竞争，争夺全球先进制程芯片代工市场份额。
三星此举并非偶然，而是全球半导体产业格局变革的重要一步。美国政府的大力补贴，体现了其扶持本土半导体产业，对抗中国及其他竞争对手的战略意图。三星选择在2026年量产2nm和3nm芯片，显示出其在先进制程工艺上的雄心壮志。虽然相比台积电在亚利桑那州工厂的4nm芯片量产进度略晚，但三星计划通过提供“从开发到生产的一站式解决方案”，将代工项目“从设计到量产的时间缩短约20%”，以此来吸引客户。
技术路线方面，三星将在2纳米和3纳米工艺中采用全栅极（GAA）技术，而台积电则在3纳米工艺中使用极紫外光刻（EUV）技术，并在2纳米工艺中转向GAA技术。两种技术路线各有优劣，最终的市场竞争结果，将取决于两家公司在良率、成本和性能等方面的综合表现。
这场竞争的背后，是全球芯片产业链的激烈竞争。美国政府的巨额补贴，以及三星和台积电等巨头的激烈角逐，将深刻影响未来全球芯片产业格局。三星能否凭借其“一站式解决方案”和先进的GAA技术，在竞争中脱颖而出，还有待时间的检验。 这场竞争的最终结果，不仅关乎三星和台积电的命运，更将影响全球科技产业的发展方向。值得关注的是，地缘政治因素、市场需求变化以及技术突破都将对这场竞争产生重要影响。