近日，三星电子副会长兼联席CEO全永铉访问英伟达总部，携带着改进后的1b DRAM样品，引发业界广泛关注。这并非一次简单的商务拜访，而是三星为争取英伟达HBM3E订单的关键行动，也折射出当下高带宽内存市场竞争的激烈态势。
报道指出，三星最初计划使用1b DRAM（第五代10nm制程工艺）生产HBM3E，但遭遇良品率和过热难题。这迫使三星调整策略，甚至一度考虑采用前代产品1a DRAM或跳过1b直接使用1c DRAM用于HBM4。然而，英伟达坚持要求使用1b DRAM，这体现了其对性能和成本的严格要求。
全永铉此行携带的样品正是三星针对上述问题改进后的成果。一个值得注意的细节是，三星芯片业务部门主管亲自向客户展示样品实属罕见，充分体现了三星对英伟达这个关键客户以及HBM3E订单的重视程度。这不仅是一场技术较量，更是一场关乎企业业绩的商业竞争。
HBM作为人工智能芯片的核心组件，市场需求旺盛，价格远高于普通DRAM。对于三星而言，拿下英伟达的HBM3E订单，将显著提升其业绩，尤其是在当前全球经济下行的大环境下。
相比之下，竞争对手SK海力士已经成功向英伟达供应基于1b DRAM的HBM3E产品。三星此番亲自出马，显示出其面对竞争的压力和渴望赢得市场份额的决心。
这场博弈的背后，是先进制程工艺的挑战与突破。三星能否最终克服技术难题，成功获得英伟达的订单，将对公司未来发展产生深远影响。而这起事件也为我们揭示了在人工智能时代，高带宽内存市场竞争的残酷和技术创新的重要性。未来，我们将持续关注三星与英伟达的合作进展，以及这场技术与商业角逐的最终结果。